Об американском следе в советской микроэлектронике

Конец вставки 2

США предприняли серьёзные меры, чтобы "американский", а заодно и иной след в советской науке и промышленности, в т.ч. и в микроэлектронике, не появился. В результате советская микроэлектроника оказалась в условиях жёсткой изоляции от мировых достижений. “Электронная промышленность стран Европы, США, Японии, какой бы жёсткой ни была конкуренция между фирмами, развивалась в условиях широко развитого обмена достижениями через международную торговлю лицензиями и патентами, документацией на технологические процессы, новейшим технологическим, контрольно-измерительным и оптико-механическим оборудованием, материалами и т. д.

Электронная промышленность нашей страны была полностью лишена такой возможности. США создали специальный международный комитет (КОКОМ), контролирующий все научно-технические и торгово-экономические взаимоотношения с СССР. КОКОМ разработал положение и огромный — в 250 страниц — свод правил, по которым СССР нельзя было продавать не только передовые технологии и изделия, принадлежавшие к области любой высокой технологии, и в первую очередь к микроэлектронике и вычислительной технике, но технологическое и измерительное оборудование, материалы, прецизионное станочное оборудование и т. д.”.

Иными словами, в нашей электронной промышленности все приходилось делать самим. Конечно, спецслужбам частично удавалось пробивать окружающую нас стену КОКОМ и окольными путями добывать кое-какие изделия, документацию, материалы и оборудование. Но добывалось далеко не всё и в мизерных количествах – только посмотреть и пощупать. Разрабатывать же все это и тиражировать в нужных объёмах отечественная микроэлектроника вынуждена была сама. Иногда полученные образцы копировались, но точную копию сделать было невозможно из-за различий в материалах, технологиях, оборудовании и т. п. Иногда делали функциональные аналоги, иногда – целиком собственные разработки. Но всегда разрабатывали и тиражировали сами.

Изоляция была и внутри страны. Профильные ведомства (Минрадиопром, Минприбор, Минмаш, Минстанкопром, Минхимпром и прочие), требуя от Минэлектронпрома продукцию микроэлектроники, сами всячески уклонялись от своего вклада — от поставок соответствующих требованиям микроэлектроники приборов, оборудования и материалов. МЭП-у все самое сложное приходилось делать самому. Необходимо отметить и финансовую составляющую. Финансирование МЭП-а, как и всех оборонных отраслей, по советским нормам было хорошим. Но капиталовложения в отечественную микроэлектронику не шли ни в какое сравнение с вложениями в США или Японии. В таких условиях создание единого инновационного центра микроэлектроники позволяло максимально сконцентрировать имеющиеся ресурсы, было единственно возможным способом для успешного развития микроэлектроники в СССР. И это дало результаты.

Однако "американский след" в советской микроэлектронике безусловно был и заключался в следующем:

1. Первые биполярный, МОП и ряд других типов транзисторов были изобретены в США.

2. Планарная технология, основная при изготовлении полупроводниковых ИС, также была рождена в США.

3. В 1961 г. группа специалистов ГКРЭ (Б.В. Малин, В.А. Стружинский, А.Ф. Трутко, В.П. Цветов и др.) прошла длительную стажировку в электронных фирмах США, где изучила планарную технологию и другие вопросы полупроводникового производства. Готовилась вторая группа специалистов, но разгоревшийся карибский кризис на многие годы закрыл советским специалистам возможность таких контактов.

4. Из поездки в США Б. Малин привёз ИС ф. Texas Instruments серии SN51, которые были воспроизведены по указанию министра А. Шокина в НИИ-35 (серия ТС-100). Это был первый случай создания аналогов зарубежных ИС, постепенно ставшего в Минэлектронпроме доминирующим. Но при этом воспроизводились функция прибора, часто схемотехника, реже топология. Но технология, материалы и технологическое оборудование были свои, из-за их отличия (у нас однотипные технологии были унифицированы, у зарубежных производителей у каждого своя) прямое и полное воспроизведение зарубежных аналогов было практически невозможно.

5. Несмотря на запреты КОКОМ, жёсткость которых варьировала в соответствии с уровнем конфронтации между СССР и США, через третьи страны и подставные фирмы иногда удавалось получать некоторые единицы оборудования, материалы, изделия микроэлектроники, научно-технические отчеты, труды конференций и иную информацию. Это позволяло существенно сокращать затраты времени и средств на поисковые и экспериментальные разработки.

И это все. В остальном создание и развитие советской микроэлектроники дело исключительно отечественных специалистов и руководителей.

Завершая тему о роли Ф. Староса отметим, что “борцы за справедливость”, как часто в таких случаях бывает, оказались к нему весьма несправедливы. Приписывая ему заслуги мнимые, они совершенно забывают о действительных заслугах Филиппа Георгиевича, но не в Зеленограде, где они скромны, а в Ленинграде, где они действительно значимы. Там им был создан один из лучших в Минэлектронпроме коллектив разработчиков ЭВМ, ИС и микропроцессоров. Очевидно, Ф. Старос был чудесным организатором, умел подбирать и сплачивать людей, среди которых были М.П. Гальперин, Е.И. Жуков, В.Я. Кузнецов, В.Е. Панкин, В.Е. Хавкин и немало других талантливых специалистов, до сих пор вспоминающих его с глубоким уважением.

Этот коллектив, под руководством Ф.Г. Староса и после его ухода, разработал и внедрил в серийном производстве несколько специальных ЭВМ, одни из первых в стране: микрокалькулятор, микропроцессор, однокристальный и одноплатный микроконтроллер. А за первыми шли вторые, третьи... ещё в конце семидесятых годов они выдвинули и реализовали идею фрагментно-модульного проектирования однокристальных и одноплатных контроллеров. Сегодня, т. е. почти через 30 лет, эта идея нашла повсеместное распространение в виде IP-блоков и систем-на-кристалле. А ведь фундамент и традиции этого коллектива, работающего до сих пор, были заложены Филиппом Георгиевичем Старосом.

Размещение произведения на сторонних ресурсах , а также его публикация на бумажных и иных носителях запрещены без согласия автора.

Малашевич Б.: boris@malashevich.ru

© Copyright: Борис Малашевич, 2016

Свидетельство о публикации № 217021101409